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人員構成

鄧輝

助理教授 、 博士生導師

研究方向:
原子尺度超精密拋光,大氣壓等離子復合加工,電化學復合加工等
E-mail:
dengh@sustech.edu.cn
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鄧輝
鄧輝, 2016年2月畢業于日本大阪大學精密科學與技術專業,獲得博士學位。之后加入新加坡制造技術研究院加工技術組,擔任研究科學家(Research Scientist),展開等離子輔助加工,電化學機械拋光等課題的理論研究和工業應用。主持日本以及新加坡科研項目多項,在制造領域頂級雜志International Journal of Machine Tools and Manufacture以及CIRP Annals-Manufacturing Technology上發表論文多篇。共三次在國際生產工程科學院年會(CIRP General Assembly)上作口頭報告(2013,2014,2015)。2014年獲得由日本工作機械技術振興協會頒發的工作機械技術振興獎。2015年獲得由中國留學基金委頒發的國家優秀自費留學生獎學金。2016年獲得由國際光學工程學會(SPIE)頒發的Rudolf Kingslake Award。
 
 研究領域:
原子尺度超精密拋光,大氣壓等離子復合加工,電化學復合加工等。
 
教育經歷:
◆ 2013.04~2016.03   大阪大學(日本),精密科學與技術專業         博士
◆ 2011.04~2013.03   大阪大學(日本),精密科學與技術專業         碩士
◆ 2006.09~2010.06   華中科技大學,機械設計制造及其自動化專業  學士
 
工作經歷:
◆ 2017.07~至 今        南方科技大學機械與能源工程系                  助理教授
◆ 2016.03~ 2017.06  新加坡制造技術研究院加工技術組               研究科學家
◆ 2013.04~2016.03   日本學術振興會(JSPS)                            特別研究員
◆ 2010.08~2011.03   大阪大學(日本),超精密科學研究中心    實驗助理
 
所獲榮譽:

◆ 2016.09,  國際光學工程學會(SPIE)頒發的Rudolf Kingslake Award(排名第三)
◆ 2015.02,  中國留學基金委頒發的國家優秀自費留學生獎學金
◆ 2014.10,  第十屆中日超精密加工國際會議(CJUPM2014)最佳報告獎
◆ 2014.06  日本工作機械技術振興協會頒發的工作機械技術振興獎(排名第一)
◆ 2014.05  日本馬扎克財團(Mazak)頒發的杰出論文獎
◆ 2013.11,  日本磨粒技術協會頒發的最佳報告獎
◆ 2013.03,  第九屆中日超精密加工國際會議(CJUPM2013)優秀學生獎
◆ 2012.09,  第十屆加工技術進展國際會議(ICPMT2012)最佳報告獎
◆ 2011.11,  第四屆亞洲精密工程與納米技術國際會議(ASPEN2011)最佳論文獎
◆ 2011年-2013年:住友電工財團獎學金
 
代表性學術論文:
(1) Hui Deng, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Damage-free finishing of CVD-SiC by a combination of dry plasma etching and plasma-assisted polishing, International Journal of Machine Tools and Manufacture 155 (2017) 38-46. (SCI, Q1)
(2) Hui Deng, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Atomic-scale and pit-free flattening of GaN by combination of plasma pretreatment and time-controlled chemical mechanical polishing, Applied Physics Letter 107 (2015) 051602 1-4. (SCI, Q1)
(3) Hui Deng, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Plasma-assisted polishing of gallium nitride to obtain a pit-free and atomically flat surface, CIRP Annals-Manufacturing Technology 64 (2015) 531-534. (SCI, Q1)
(4) Hui Deng, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Competition between surface modification and abrasive polishing: a method of controlling the surface atomic structure of 4H-SiC (0001), Scientific Reports 5 (2015) 8947 1-6. (SCI, Q1)
(5) Hui Deng, K. Hosoya, Y. Imanishi, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Electro-chemical mechanical polishing of single-crystal SiC using CeO2 slurry, Electrochemistry Communications 52 (2015) 5-8. (SCI, Q1)
(6) Hui Deng, K. Monna, T. Tabata, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Optimization of the plasma oxidation and abrasive polishing processes in plasma-assisted polishing for high effective planarization of 4H-SiC, CIRP Annals-Manufacturing Technology 63 (2014) 529-532. (SCI, Q1)
(7) Hui Deng, Masaki Ueda and Kazuya Yamamura: Characterization of 4H-SiC (0001) surface processed by plasma assisted polishing, International Journal of Advanced Manufacturing Technology 72 (2014) 1-7. (SCI, Q2)
(8) Hui Deng, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Comparison of thermal oxidation and plasma oxidation of 4H-SiC (0001) for surface flattening, Applied Physics Letter 104 (2014) 101608 1-5. (SCI, Q1)
(9) Hui Deng, Katsuyoshi Endo and Kazuya Yamamura: Atomic-scale planarization of 4H-SiC (0001) by combination of thermal oxidation and abrasive polishing, Applied Physics Letter 103 (2013) 111603 1-4. (SCI, Q1)
(10) Hui Deng and Kazuya Yamamura: Atomically Flattening Mechanism of 4H-SiC (0001) in Plasma-assisted Polishing, CIRP Annals-Manufacturing Technology 62 (2013) 575-578. (SCI, Q1)
 
其他內容:
本課題組長期招聘博士后以及研究助理,招收聯合培養博士以及碩士研究生,待遇優厚。歡迎對等離子復合加工以及電化學復合加工感興趣的學生學者聯系加盟。